Electric-field effects on defect migration energetics in GaN
Deze studie ontwikkelt een ReaxFF reactief krachtveld voor GaN om aan te tonen dat extern toegepaste elektrische velden de migratiebarrières van defecten niet-lineair en anisotroop moduleren door middel van lading-roosterkoppeling, wat cruciale inzichten biedt voor de betrouwbaarheid van apparaten in omgevingen met hoge veldsterktes.