Uncovering the properties of homo-epitaxial GaN devices through cross-sectional infrared nanoscopy
Dit onderzoek toont aan dat cross-sectionele infrarood-nanoscopie (s-SNOM) een superieure, niet-destructieve methode is voor het karakteriseren van homo-epitaxiale GaN-apparaten, omdat het door het combineren van mid-IR en THz-data lokale ladingsdragerdichtheid en sub-surface defecten met hoge resolutie kan onderscheiden, wat traditionele technieken zoals micro-Raman en KPFM niet kunnen.
Hossein Zandipour, Felix Kaps, Robin Buschbeck, Maximilian Obst, Aditha Senarath, Richarda Niemann, Niclas S. Mueller, Gonzalo Alvarez-Perez, Katja Diaz-Granados, Ryan A Kowalski, Jakob Wetzel, Raghunandan Balasubramanyam Iyer, Matthew Wortel, J. Michael Klopf, Travis Anderson, Alan Jacobs, Mona Ebrish, Lukas M. Eng, Alexander Paarman, Susanne C. Kehr, Joshua D. Caldwell, Thomas G. FollandWed, 11 Ma🔬 cond-mat.mtrl-sci