Device-area selection of memristive transport regimes in epitaxial -based ferroelectric devices
Dit onderzoek toont aan dat epitaxiale HfZrO-gebaseerde ferro-elektrische memristoren coëxisterende, oppervlakte-afhankelijke tunneling- en lokale geleidingsregimes vertonen, met een statistische overgang bij een oppervlakte van ongeveer die correleert met het begin van ferro-elektrische wake-up en herschikking van zuurstofvacatures.