Interfacial charge-transfer in 3d/5d complex oxide heterostructures
Dit onderzoek toont aan dat interfaciale ladingsoverdracht in 3d/5d-oxide-heterostructuren kwantitatief voorspeld kan worden op basis van het elektronegativiteitsverschil tussen de lagen, wat leidt tot gecontroleerde spin-toestandswisselingen en nieuwe mogelijkheden voor het ontwerpen van geavanceerde oxide-elektronica.