🔬 Category

cond-mat.mtrl-sci

4239 papers

De categorie Materiaalwetenschappen op Gist.Science duikt in de fascinerende wereld van de fysica van gecondenseerde materie, waar onderzoekers nieuwe materialen ontdekken en hun unieke eigenschappen bestuderen. Van supergeleiders tot slimme polymeren, dit vakgebied vormt de basis voor innovaties die onze dagelijkse technologie en toekomstige industrieën vormgeven. Onze missie is om deze complexe wetenschap toegankelijk te maken voor iedereen, van studenten tot professionals buiten de directe onderzoekswereld.

Elke nieuwe preprint in dit domein wordt rechtstreeks vanuit arXiv gehaald en zorgvuldig verwerkt door ons team. We bieden niet alleen gedetailleerde technische samenvattingen voor experts, maar ook heldere, alledaagse uitleg die de kern van het onderzoek duidelijk maakt zonder jargon. Zo blijft u up-to-date met de snelste ontwikkelingen zonder verdwaald te raken in formules.

Hieronder vindt u de meest recente publicaties uit de categorie Materiaalwetenschappen, direct uitgewerkt en samengevat voor uw gemak.

🔬 materials science

Melting point depression of charge density wave in 1T-TiSe2_2 due to size effects

Door middel van in-situ cryogene elektronenmicroscopie op 1T-TiSe2_2-nanoflakes toont deze studie aan dat de smeltpunten van de ladingsdichtheidsgolf dalen naarmate de vlokgrootte onder de 100 nm afneemt vanwege finite-size effecten die de divergentie van de correlatielengte afsnijden, waardoor wordt bevestigd dat elektronische faseovergangen in gecorreleerde toestanden de klassieke kiemtheorie volgen.

Saif Siddique, Mehrdad T. Kiani, Omri Lesser, Stephen D. Funni, Nishkarsh Agarwal, Maya Gates, Miti Shah, William Millsa (…)2026-06-10
🔬 materials science

Scalable and deterministic construction of moiré superlattice in 2D materials using stressor films

Dit artikel demonstreert een schaalbare en deterministische methode voor het construeren van moiré-superroosters in 2D-materialen door gebruik te maken van gepatroneerde dunne-film-stressoren om gecontroleerde heterostrain te induceren, wat het technisch ontwerp van specifieke roosterdeformaties en in-plane polarisatie mogelijk maakt.

Yu-Mi Wu, Sihun Lee, Yufeng Xi, Stephen D. Funni, Saif Siddique, Natalie L. Williams, Giovanni Sartorello, Hesam Askari (…)2026-06-10
🔬 mesoscale physics

Spin current symmetries generated by GdFeCo ferrimagnet across its magnetisation compensation temperature

Deze studie onderzoekt de symmetrieën van de spinstroom in GdFeCo-ferrimagneten rond de magnetisatiecompensatietemperatuur, waarbij wordt onthuld dat spin Hall- en spin anomale Hall-effect-torques hun tekens behouden vanwege afzonderlijke oorsprong in respectievelijk de Gd 5d- en FeCo 3d-elektronensubsystemen.

Héloïse Damas, Michel Hehn, Juan-Carlos Rojás-Sanchez, Sébastien Petit-Watelot2026-06-10
🔬 materials science

First-principles band alignment engineering in polar and nonpolar orientations for wurtzite AlN, GaN, and Bx_xAl1−x_{1-x}N alloys

Deze studie maakt gebruik van geavanceerde computationele methoden om de polaire en niet-polaire bandaligneringen van wurtziet Bx_xAl1−x_{1-x}N-legeringen te bepalen en te analyseren, waarbij compositieafhankelijke type I- of type II-aligneringen en oppervlaktepolariteitseffecten worden onthuld die cruciale ontwerprichtlijnen bieden voor hoog-elektrononmobiliteitstransistoren en ultraviolette opto-elektronische apparaten.

Cody L Milne, Arunima K Singh2026-06-10
🔬 materials science

Fracture initiation in silicate glasses via a universal shear localization mechanism

Deze studie toont aan dat breukinitiatie in silicaatglazen wordt beheerst door een universeel mechanisme van afschuivingslokalisatie, wat de traditionele visie die de nadruk legt op volumetrische verdichting uitdaagt en deze materialen in lijn brengt met het breukgedrag van bulk-metallische glazen en amorfe polymeren.

Matthieu Bourguignon, Gustavo Alberto Rosales-Sosa, Yoshinari Kato, Bruno Bresson, Hikaru Ikeda, Shingo Nakane, Gergely (…)2026-06-10
🔬 mesoscale physics

Fabry-Perot Interference, g-factor Anisotropy, and Gate-Tunable Quantum dot in Chiral Tellurium Nanowires

Deze studie toont aan dat hydrothermisch gegroeide chirale tellurium-nanodraden fase-gecoherente quasi-ballistische transport, gate-regelbare kwantumdotvorming en sterk anisotrope g-factoren vertonen, waarmee ze een veelzijdige platform vestigen voor spin-qubits en Majorana zero mode-onderzoek.

Suresh Ghimire, Mohammad Hafijur Rahaman, Nathan Tanner Sawyers, Madan Mohan Bhandari, Gokul Acharya, Syed Zulfiqar Huss (…)2026-06-10
🔬 materials science

Synthesis and Characterization of Atomically-Sharp Superconductor-Dielectric Interface

Dit artikel presenteert een nieuwe methode voor het groeien van luchtsstabiele, hoogkristallijne zirkoniumoxide-lagen op niobium die atomairstrakke interfaces vormen en oxidegroei voorkomen, waardoor een veelbelovend pad wordt geboden om twee-niveau systeemdefecten te verminderen en de coherentietijden van supergeleidende kwantumapparaten te verbeteren.

Nathan Sitaraman, Zhaslan Baraissov, Alexis Grassl, Hongbin Yang, Daniel Tong, David Muller, Matthias Liepe2026-06-10
🔬 applied physics

Filamentary Transport and Thermoelectric Effects in Mushroom Phase Change Memory Cells

Deze studie maakt gebruik van 2D eindelement elektrothermische simulaties om aan te tonen dat thermo-elektrische effecten en filamentair transport in Ge2_2Sb2_2Te5_5 paddenstoelvormige faseveranderingsgeheugencellen de Reset-energie en het vermogen aanzienlijk verminderen wanneer de stroom van de bovenste elektrode naar de smalle onderste elektrode stroomt, terwijl ook wordt onthuld dat het programmeervolume onafhankelijk is van contactdimensies boven de 10 nm en dat grotere contacten een toename in variabiliteit ruilen voor verbeterde betrouwbaarheid.

Md Samzid Bin Hafiz, Helena Silva, Ali Gokirmak2026-06-10
🔬 condensed matter

Improved selector behavior in ultrathin chromium-doped V2_2O3_3 films

Deze studie toont aan dat ultradunne (tot 5 nm) chroomgedoteerde V2_2O3_3-films verbeterde selector-eigenschappen vertonen, zoals een lage lekstroom en abrupte overgangen, waarschijnlijk als gevolg van een amorfe interface-laag en Ti-diffusie vanuit de elektrode die het gedrag van kristallijne en amorfe fasen homogeniseert.

Johannes Mohr, Tyler Hennen, Yudi Wang, Xiaoyu Xu, Loc Vinh, Dirk J. Wouters, Rainer Waser, Joyeeta Nag, Daniel Bedau2026-06-10