High-Strength Amorphous Silicon Carbide for Nanomechanics
In deze studie wordt een wafer-grootte amorfe siliciumcarbide (SiC) dunne film gepresenteerd met een ongekende treksterkte van meer dan 10 GPa en een kwaliteitsfactor boven de 10^8, wat nieuwe mogelijkheden biedt voor hoogwaardige nanomechanische sensoren en andere toepassingen.