Spin-Axis-Layer Locking for Intrinsic Bipolar Altermagnetic Semiconductors: Proof-of-Concept in Bilayer CuBr2
Dit artikel stelt een universeel spin-as-laag vergrendelingsparadigma (SALL) voor, aangetoond via berekeningen uit eerste principes op verdraaide bilayer CuBr2, dat intrinsieke bipolaire altermagnetische halfgeleiders mogelijk maakt met gelijktijdige, met een poort schakelbare omschakeling van ladingsdraggertype, spin en actieve laag zonder dat externe rek vereist is.