Approximate Excited-State Potential Energy Surfaces for Defects in Solids
Dit artikel introduceert een benaderingstechniek om de elektron-fononkoppeling bij defecten in vaste stoffen te kwantificeren aan de hand van krachten in de grondtoestand-geometrie, waarmee de nul-fononlijn en de Huang-Rhys-factor nauwkeurig kunnen worden geschat zonder volledige berekening van de aangeslagen potentieel-energieoppervlakken.