4338 papers
De categorie Materiaalwetenschappen op Gist.Science duikt in de fascinerende wereld van de fysica van gecondenseerde materie, waar onderzoekers nieuwe materialen ontdekken en hun unieke eigenschappen bestuderen. Van supergeleiders tot slimme polymeren, dit vakgebied vormt de basis voor innovaties die onze dagelijkse technologie en toekomstige industrieën vormgeven. Onze missie is om deze complexe wetenschap toegankelijk te maken voor iedereen, van studenten tot professionals buiten de directe onderzoekswereld.
Elke nieuwe preprint in dit domein wordt rechtstreeks vanuit arXiv gehaald en zorgvuldig verwerkt door ons team. We bieden niet alleen gedetailleerde technische samenvattingen voor experts, maar ook heldere, alledaagse uitleg die de kern van het onderzoek duidelijk maakt zonder jargon. Zo blijft u up-to-date met de snelste ontwikkelingen zonder verdwaald te raken in formules.
Hieronder vindt u de meest recente publicaties uit de categorie Materiaalwetenschappen, direct uitgewerkt en samengevat voor uw gemak.
Dit artikel biedt een overzicht van data-gedreven methoden voor materialeninformatica over verschillende lengteschalen, waarbij de huidige mogelijkheden, uitdagingen rond betrouwbaarheid en consistentie, en de rol van data-standaarden en autonome laboratoria worden belicht.
Dit onderzoek toont aan dat de orbitale Hall-geleidbaarheid in tweedimensionale ferroëlektrische higher-order topologische isolatoren zoals TlS en SnS via polarisatiebesturing kan worden ingenieerd, waardoor een schakelbaar orbitaal transport mogelijk wordt voor toepassing in orbitronica.
Deze studie toont aan dat, hoewel dispersiecorrecties een gering effect hebben op bindingsenergieën, ze essentieel zijn voor het nauwkeurig voorspellen van de dichtheid en structuur van gesmolten fluoridezouten, waarbij semi-empirische modellen vaak beter presteren dan niet-lokale vdW-DF-methoden.
Deze studie presenteert een onzekerheidsbewust deep learning-kader op basis van Mixture Density Networks dat de fasefracties van refractaire multi-principale legeringen voorspelt en een actieve leermethode gebruikt om nieuwe, hoogwaardige legeringen met onbekende elementen te ontdekken.
Dit onderzoek biedt voor het eerst atomaire bewijzen voor een unificatie van vier vormen van spin-textuurlocking in een 2D d-golf altermagneet, waarbij spin-rooster, spin-momentum, spin-strook en spin-strooklocking worden gekoppeld via een spin-dichtheidsgolf moiré-patroon.
Deze studie presenteert een plasmonische photocatalysator op basis van AuPd-legeringen die bij kamertemperatuur en onder zichtbaar licht methaan en lachgas selectief omzet in waardevolle koolwaterstoffen met een hoge opbrengst, terwijl de vorming van CO₂ wordt onderdrukt.
Dit onderzoek toont aan dat laser-annealing met ultrakorte pulsen de elektrische geleidbaarheid van op glas afgezette ZnO-films met drie grootteordes kan verbeteren en hun gevoeligheid voor zuurstof detectie verhoogt, waardoor ze geschikt zijn voor geavanceerde optoelektronische toepassingen op temperatuurgevoelige substraten.
Dit artikel beschrijft hoe synchrotronstraling-röntgentopografie onder zesbundel-diffractiecondities een krachtige, niet-destructieve methode biedt voor de kwantitatieve analyse van dislocaties in dikke ammonothermale GaN-substraten, waarbij het super-Borrmann-effect wordt benut om de overgang van kinematische naar dynamische diffractie te observeren en de Burgersvectoren van individuele dislocaties te bepalen.
Dit perspectiefartikel belicht hoe Moreau-Yosida-regularisatie binnen de dichtheidsfunctionaaltheorie leidt tot een wiskundig goed gedefinieerde Kohn-Sham-aanpak, wordt gebruikt voor dichtheid-potentiaal-inversie en een directe link legt met klassieke veldtheorieën, terwijl het ook toekomstige ontwikkelingsmogelijkheden schetst.
Deze studie introduceert een snelle, niet-destructieve methode voor driedimensionale afbeelding van schroefdislocaties in beta-Ga2O3 met behulp van fasecontrastmicroscopie, die een hogere ruimtelijke resolutie biedt dan synchrotron-X-ray topografie en het inzicht in dislocatiepaden binnen volledige halfgeleiderwafers mogelijk maakt.