Electrical and Structural Response of Nine-Atom-Wide Armchair Graphene Nanoribbon Transistors to Gamma Irradiation
Dit onderzoek toont aan dat, ondanks de structurele stabiliteit van negen-atoom-brede armchair grafenaanoribbons onder gammastraling, hun elektrische prestaties als veld-effecttransistoren aanzienlijk verslechteren door Anderson-localisatie, wat hun potentieel als stralingsdetectoren in extreme omgevingen onderstreept.