3396 papers
De categorie Materiaalwetenschappen op Gist.Science duikt in de fascinerende wereld van de fysica van gecondenseerde materie, waar onderzoekers nieuwe materialen ontdekken en hun unieke eigenschappen bestuderen. Van supergeleiders tot slimme polymeren, dit vakgebied vormt de basis voor innovaties die onze dagelijkse technologie en toekomstige industrieën vormgeven. Onze missie is om deze complexe wetenschap toegankelijk te maken voor iedereen, van studenten tot professionals buiten de directe onderzoekswereld.
Elke nieuwe preprint in dit domein wordt rechtstreeks vanuit arXiv gehaald en zorgvuldig verwerkt door ons team. We bieden niet alleen gedetailleerde technische samenvattingen voor experts, maar ook heldere, alledaagse uitleg die de kern van het onderzoek duidelijk maakt zonder jargon. Zo blijft u up-to-date met de snelste ontwikkelingen zonder verdwaald te raken in formules.
Hieronder vindt u de meest recente publicaties uit de categorie Materiaalwetenschappen, direct uitgewerkt en samengevat voor uw gemak.
Dit onderzoek toont aan dat calcium-doping in geordend PbSc0.5Ta0.5O3 de faseovergangen en het elektrocalorische effect nauwkeurig kan afstemmen, waardoor een breed temperatuurbereik voor koeltoepassingen wordt mogelijk gemaakt.
Dit artikel introduceert een nieuwe methode voor het meten van elektrische transport in vrijhangende oxide-films onder hoge druk, waarbij wordt aangetoond dat druk en dimensie een sterke wisselwerking vertonen in SrIrO3-films die leiden tot faseovergangen.
Dit artikel onderzoekt het magneto-elastische gedrag van het tetragonale antiferromagnetische MnPt-systeem door experimentele data te analyseren met theoretische berekeningen, met name gericht op de oorsprong van de magnetokristallijne anisotropie-energie en de componenten van de magnetostrictiecoëfficiënten.
Dit artikel stelt dat overgangen tussen nul-veld opgesplitste toestanden van paramagnetische onzuiverheden in saffier een significant verliesmechanisme vormen dat de coherentietijden van supergeleidende qubits kan beperken.
Met behulp van een nieuwe ultrakorte sub-golflengte beeldvormingstechniek in het extreme ultraviolette spectrum hebben onderzoekers aangetoond dat magnetische domeinwanden in ferro- en ferrimagnetische dunne films tot 50% demagnetisatie stabiel blijven in positie, vorm en breedte, wat wijst op een lokaal karakter van foto-geïnduceerde demagnetisatie en nieuwe kansen biedt voor optische spintronische controle.
In dit onderzoek wordt aangetoond dat resonante optische excitatie in het isolerende antiferromagneet DyFeO3 leidt tot een dramatische herschikking van het magnonenspectrum, inclusief een bijna volledige ineenstorting van het magnonengat door een tijdelijke reductie van de uitwisselingsinteractie met bijna 90%, wat een weg opent voor lichtgestuurde nanoschaalcontrole op spin-dynamica.
Dit artikel introduceert een benaderingstechniek om de elektron-fononkoppeling bij defecten in vaste stoffen te kwantificeren aan de hand van krachten in de grondtoestand-geometrie, waarmee de nul-fononlijn en de Huang-Rhys-factor nauwkeurig kunnen worden geschat zonder volledige berekening van de aangeslagen potentieel-energieoppervlakken.
Dit artikel toont aan dat in chirale supergeleiders twee soorten effectieve magnetisme in de impulsruimte, voortkomend uit respectievelijk niet-unitaire en unitaire paringspotentialen, de optische anomalie Hall-effect veroorzaken, waarbij spin-orbitale koppeling een cruciale en eerder over het hoofd geziene rol speelt.
Dit artikel introduceert het ghost Gutzwiller-ansatz als een efficiënt raamwerk om de bandstructuur van sterk gecorreleerde topologische systemen te beschrijven, waardoor nieuwe inzichten ontstaan in topologische Hubbard-banden en hun randtoestanden.
Deze studie demonstreert dat machine learning interatomische potentialen, getraind op routine first-principles-relaxatiedata, de berekening van fononspectra en optische lijnvormen van defecten in vaste stoffen aanzienlijk versnellen zonder nauwkeurigheidsverlies, waardoor hoogwaardige theorie-toepassingen zoals de analyse van de T-center in silicium mogelijk worden.