Identifying Contact Barrier Types in Few-Layer MoS2 Devices Using Correlative IV, LBIC, and Bias-Dependent KPFM
Dit artikel presenteert een geïntegreerd experimenteel kader dat IV, LBIC en bias-afhankelijke KPFM combineert om Schottky- versus tunnelcontactbarrières in few-layer MoS2-componenten ondubbelzinnig te identificeren en te karakteriseren, waarbij wordt aangetoond dat hoewel thermische gloeiing de totale weerstand vermindert, contactbarrières de dominante beperkende factor blijven.