Scaling Two-Dimensional Semiconductor Nanoribbons for High-Performance Electronics
Deze studie toont aan dat het schalen van monolaag TMD-nanobandtransistors tot breedtes van ongeveer 30–40 nm de prestaties van het apparaat aanzienlijk verbetert door de contactweerstand te verlagen en de elektrostatische eigenschappen te verbeteren, waardoor hoge aanstroomdichtheden worden bereikt die deze materialen als veelbelovende kandidaten voor toekomstige ultra-geschaalde elektronica positioneren.