Cryogenic performance of Silicon Photo-Multipliers at LN temperature and at 3 K in the RES-NOVA cryostat
Dit artikel presenteert metingen van de doorslagspanning en de gain-prestaties van Hamamatsu S13360-1350CS Silicon Photo-Multipliers bij cryogene temperaturen van 77 K en 3 K binnen de RES-NOVA cryostaat, ter ondersteuning van hun toepassing bij het detecteren van scintillatie licht van radiopure PbWO kristallen voor supernova-neutrino studies.