Multi-junction surface ion trap for quantum computing
Dit artikel presenteert een multi-junction oppervlakte-ionenval die is ontworpen om schaalbaarheidsuitdagingen aan te pakken door de RF-elektrode te verhogen en de onderliggende diëlektrische lagen te minimaliseren om de ohmse en diëlektrische vermogensdissipatie aanzienlijk te verminderen, terwijl ook de verwarmingssnelheden over verschillende bewegingsfrequenties en spanningsbronnen worden gekarakteriseerd.