Topological-Insulator Heterophase Gate Stacks for Transistor Electrostatics
Dit artikel toont aan dat het manipuleren van de gate-zijde screening-grens door het oppervlak van een topologische isolator (Bi₂Se₃) om te zetten in een isolerende hoog-κ laag (BiF₃) een gereconstrueerd interface creëert die, ondanks het verminderen van de nominale capaciteit, de transistor-elektrostatica aanzienlijk verbetert door bijna-thermionische schakeling mogelijk te maken en drain-induced barrier lowering drastisch te verlagen.