A backgate for enhanced tunability of holes in planar germanium
Dit artikel demonstreert de succesvolle implementatie van een backgate in planaire germanium-heterostructuren, waardoor onafhankelijke controle over ladingsdragerdichtheid en elektrisch veld mogelijk wordt om de afstembaarheid van kritieke kwantumeigenschappen zoals effectieve massa, g-factor en kwantumlevensduur te verbeteren voor geavanceerde qubit-engineering.