Spin lifetime anisotropy in graphene induced by the SiO2 interface
Deze studie maakt gebruik van first-principles en tight-binding simulaties om aan te tonen dat een SiO-substraat een complexe, anisotrope spintextuur in grafeen induceert—variërend van Rashba-type helicale structuren tot symmetrie-gebroken configuraties—wat resulteert in een spin-levensduur-anisotropie tussen 0,5 en 1 die overeenkomt met experimentele waarnemingen en de voorspellingen van standaard Rashba-modellen overtreft.