High-Field EPR/ENDOR of N/Be Centers for Defect Engineering in 6H-SiC
Deze studie maakt gebruik van hoogveld W-band EPR- en ENDOR-spectroscopie om stikstof- en beryllium-co-gedoteerd 6H-SiC te karakteriseren, waarbij de onderscheidende roosterposities, spincoherentie-eigenschappen en de sterk gedelokaliseerde spindichtheid worden onthuld om de haalbaarheid van dual-impurity defect engineering voor kwantumtechnologieën aan te tonen.