Heterogeneously Integrated Efficient and Widely Tunable Lasers at 795 nm for Rubidium-Based Quantum Technologies
Dit artikel presenteert een wafer-schaalbare, via micro-transfer printing gerealiseerde heterogene integratie van GaAs-versterkers met siliciumnitride-golfgeleiders om compacte, breed afstembare 795 nm-lasers te creëren die recordbrekende smalle lijnbreedtes en een hoog vermogen bereiken, wat een schaalbare oplossing biedt voor de volgende generatie rubidium-gebaseerde kwantumtechnologieën.