Individually tunable Si/SiGe quantum dot operating voltages via gate-biased illumination
Dit artikel introduceert een gate-gebiaste nabij-infrarode verlichtings-techniek die de individueel instelbare en herhaalbare aanpassing van werkspanningen voor Si/SiGe kwantumdot-qubits mogelijk maakt door de nanoschaal gevangen ladingverdelingen gecontroleerd te modificeren, waardoor uniforme spanningen worden bereikt zonder de ladingsruis te verhogen.