Probing the Valley-Selective Tunneling Density of States in Monolayer MoS2 based Resonant Tunneling Devices
Dit artikel experimenteel demonstreert en theoretisch valideert een door CVD gegroeide monolaag MoS2-dubbelbarrière resonant-tunneling-apparaat dat een sterk valleiselectieve tunnelingsdichtheid van toestanden vertoont, waarbij recordhoge piek-tot-valleiverhoudingen worden bereikt bij zowel cryogene als kamertemperaturen, en waarbij het potentieel voor spin-valley qubit-toepassingen wordt benadrukt.