Impact of Layer Structure and Strain on Morphology and Electronic Properties of InAs Quantum Wells on InP (001)
Deze studie toont aan dat bij InAs-kwantputten op InP (001) de laagopbouw en de spanning de mobiliteitsanisotropie en oppervlaktemorfologie bepalen, waarbij te grote lagen leiden tot kwantumputinstorting en quantumopsluiting de bandniet-paraboliciteit beïnvloedt.