🔬 materials science
Device-area selection of memristive transport regimes in epitaxial Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric devices
Dit onderzoek toont aan dat epitaxiale Hf0.5Zr0.5O2-gebaseerde ferro-elektrische memristoren coëxisterende, oppervlakte-afhankelijke tunneling- en lokale geleidingsregimes vertonen, met een statistische overgang bij een oppervlakte van ongeveer 103 μm2 die correleert met het begin van ferro-elektrische wake-up en herschikking van zuurstofvacatures.
Priscila A. Tapia Presas, Lautaro Galarregui, Wilson Román Acevedo, Myriam H. Aguirre, José Santiso, Sylvia Matzen, Beat (…)2026-04-20✓ Author reviewed ⓘ