Oxygen-vacancy quantum spin defects in silicon carbide
Este artigo fornece evidências diretas de que os centros PL5 e PL6 no carbeto de silício (4H-SiC) são defeitos de spin quântico originados por vacâncias de oxigênio (), identificando suas configurações estruturais específicas através de estratégias de controle químico e isotópico que permitem o projeto determinístico de dispositivos fotônicos e sensores quânticos escaláveis.