Valley Engineering in Bilayer WSe Gate-All-Around Transistors
Este artigo demonstra que o WSe bilayer é o canal ideal para transistores de porta ao redor de todo (gate-all-around) com engenharia de vale, porque sua degenerescência de vale K- quase térmica em temperatura ambiente permite o aumento simultâneo da corrente de ligar e a supressão da corrente de desligar via deformação, enquanto mantém uma inclinação subthreshold próxima ao limite termiônico.