Reducing non-linear effects in Kelvin Probe Force Microscopy of back-gated 2D semiconductors
Os autores demonstram que o uso de um dielétrico de hBN suficientemente fino permite que a Microscopia de Sonda de Kelvin (KPFM) forneça medições precisas do nível de Fermi em semicondutores 2D, superando as distorções não lineares causadas pela voltagem da sonda e validando os resultados com os valores conhecidos das bandas proibidas do WSe2.