First-principles predictions of band alignment in strained Si/Si1-xGex and Ge/Si1-xGex heterostructures
Este estudo utiliza cálculos de primeiros princípios baseados na teoria do funcional da densidade para prever com precisão os alinhamentos de banda não lineares em heteroestruturas de Si/Si1-xGex e Ge/Si1-xGex sob tensão, fornecendo expressões analíticas essenciais para o projeto de dispositivos de tecnologia quântica.