Omnidirectional shuttling to avoid valley excitations in Si/SiGe quantum wells
Este artigo propõe e simula um esquema de transporte bidimensional (2D) que permite desviar de regiões com baixa separação de vales em poços quânticos de Si/SiGe, evitando excitações indesejadas e permitindo uma arquitetura de qubits com conectividade total e alta fidelidade.