Signature of inverse orbital Hall effect in silicon studied using time-resolved terahertz polarimetry
Este estudo demonstra, por meio de espectroscopia bomba-probe com luz circularmente polarizada e detecção no terahertz, a existência de uma condutividade Hall anômala de longa duração em silício à temperatura ambiente, atribuída ao efeito Hall orbital inverso e abrindo caminho para a orbitrônica baseada em silício.