Cold source field-effect transistor with type-III band-aligned HfS/WTe heterostructure
Este artigo propõe um transistor de efeito de campo com fonte fria (CSFET) baseado em uma heteroestrutura bidimensional de WTe/HfS com alinhamento de banda tipo-III, que elimina barreiras de Schottky e alcança um desempenho superior com subthreshold swing de 41,3 mV/dec e uma razão / de , estabelecendo novos princípios para nanoeletrônica de baixo consumo.