Hot carrier diffusion-assisted ideal carrier multiplication in monolayer MoSe2
Este estudo demonstra que a monocamada de MoSe2 alcança a eficiência máxima teórica de multiplicação de portadores através do espalhamento portador-rede suprimido e de abundantes caminhos de aninhamento de banda 2Eg, superando sua contraparte em volume e posicionando-a como uma candidata promissora para aplicações optoeletrônicas de próxima geração.