Low-Noise Quantum Dots in Ultra-Shallow Ge/SiGe Heterostructures for Prototyping Hybrid Semiconducting-Superconducting Devices
Este artigo demonstra a viabilidade de heteroestruturas Ge/SiGe ultra-rasas com capa fina (~4 nm) para a criação de pontos quânticos de baixo ruído, utilizando processos de deposição de óxido a baixa temperatura que preservam a compatibilidade com camadas supercondutoras, estabelecendo assim uma plataforma promissora para o desenvolvimento de dispositivos híbridos semicondutor-supercondutor.