Layer-dependent quantum transport in KV2Se2O-based altermagnetic tunnel junctions
Este estudo prevê que junções de túnel altermagnéticas baseadas em KV2Se2O/SrTiO3/KV2Se2O exibem propriedades de transporte quântico dependentes da camada e uma magnetorresistência de túnel gigantesca de 4,6×10⁷% em dispositivos com 4 camadas de SrTiO3, devido a efeitos de configuração de interface que modulam os canais de transporte de momento transversal.