🔬 materials science
Time-resolved study of carbonization and growth of ultrathin 3C-SiC on Si(111) under ultra-high vacuum
Este estudo utiliza XPS com resolução temporal, microscopia e perfil de profundidade para caracterizar a evolução cinética da nucleação e coalescência de 3C-SiC ultrafino sobre Si(111) sob vácuo ultra-alto, revelando que a fase carbidica satura em aproximadamente 80% após 180 minutos de exposição a etileno a 800°C, fornecendo, assim, insights críticos para a otimização de templates de SiC/Si para o crescimento heteroepitaxial subsequente.
Pranjali Jadhao, Mojdeh Fallahpour, Josef Polčák, Eva Kolíbalová, Michal Horák, Jan Michalička, Petr Bábor, Stanislav Vo (…)2026-08-11