Bismuth Films on EuO(111) as a Platform for Proximity-Induced Topological States
Este artigo relata a realização experimental de filmes epitaxiais de bismuto sobre um isolante ferromagnético EuO(111), demonstrando a formação de uma fase de bismuteno com um gap de energia robusto e estados de borda localizados, o que estabelece uma plataforma viável para a observação de fases topológicas de ordem superior induzidas por proximidade.