Modelling the Impact of Device Imperfections on Electron Shuttling in SiMOS devices
Este estudo apresenta simulações 3D que demonstram que, embora a imperfeição de interfaces e defeitos no óxido possam comprometer o transporte de elétrons em dispositivos SiMOS, é possível identificar regimes operacionais e ajustar os potenciais de confinamento para garantir um transporte de carga confiável e robusto.