Molecular beam epitaxy of wafer-scale O-band InAs/InGaAs quantum dots on GaAs for quantum photonics
Os autores apresentam uma estratégia escalável de epitaxia por feixe molecular para crescer pontos quânticos de InAs/InGaAs em substratos de GaAs com densidade ultrabaixa e emissão na banda O, permitindo o ajuste elétrico do comprimento de onda e a emissão de fótons únicos para aplicações em fotônica quântica.