Revealing the Atomic Structure of NiO/GaO Interfaces
Este estudo utiliza microscopia eletrônica de transmissão de varredura com correção de aberração e modelagem para revelar as estruturas atomísticas de interfaces NiO/GaO através de várias orientações de substrato, identificando o GaO orientado em (100) como o candidato ideal para a fabricação de dispositivos eletrônicos de potência de alta qualidade e baixo defeito, ao mesmo tempo em que esclarece o impacto de artefatos de imagem na interpretação estrutural.