Low-resistivity nitrogen-doped p-type Cu2O thin films enabled by millisecond flash lamp annealing
O recozimento por lâmpada de flash de milissegundos em uma densidade de energia baixa específica (4,9 J cm⁻²) reduz significativamente a resistividade de filmes finos de Cu₂O do tipo p dopados com nitrogênio para 0,045 Ωcm ao aumentar a mobilidade, ao passo que densidades de energia mais altas degradam a condutividade elétrica, apesar de alargarem o band gap óptico.