No band gap, no problem: Defects in InAs using a band-avoiding occupation-constrained density functional theory
Este artigo introduz um método de teoria do funcional da densidade com restrição de ocupação e de evitamento de banda (ba-occ-DFT) que supera o problema do gap de banda zero em semicondutores de gap estreito como o arsenieto de índio (InAs), permitindo previsões precisas de níveis de defeitos atômicos apesar da falha do DFT padrão em reproduzir o gap de banda experimental.