Localized Energy States Induced by Atomic-Level Interfacial Broadening in Heterostructures
Este artigo apresenta um modelo teórico e confirma experimentalmente que o alargamento interfacial em nível atômico em super-redes de SiGe/Si induz estados de energia localizados que criam novos caminhos para recombinação de portadores e estendem a absorção óptica para energias mais baixas, permitindo uma sonda não destrutiva desse fenômeno.