Optimizing high-temperature electron mobility in single-crystal BiOSe based on its unconventional dependence on concentration
Este estudo revela que a otimização da mobilidade eletrônica em altas temperaturas no BiOSe monocristal requer a minimização das condições de crescimento ricas em Se, uma vez que estas induzem defeitos substitucionais e inhomogeneidades estruturais que degradam o canal de transporte do BiO, aumentam a massa efetiva e criam a tendência contraintuitiva onde a mobilidade melhora com concentrações de portadores mais elevadas.