cond-mat.mtrl-sci

HF Etching and Silanization: Evidence for the Role of Surface Hydroxyl Groups in Silicon Nitride Resonator Loss

Este estudo demonstra que a funcionalização química de ressonadores de nitreto de silício via silanização com TMCS, que visa grupos hidroxila superficiais, aumenta significativamente os fatores de qualidade mecânica em até 50%, identificando assim as hidroxilas superficiais como uma fonte primária de perda de energia em dispositivos de nanoescala.

Coexistence of static order and spin dynamics in an S = 5/2 frustrated triangular antiferromagnet

Este estudo combina termodinâmica, rotação de spin de múons, difração de nêutrons e cálculos de primeiros princípios para revelar que o antiferromagneto de rede triangular quase perfeito MnSnB$_2$O$_6$ exibe ordem magnética de longo alcance abaixo de 1 K, caracterizada pela coexistência de ordem estática e dinâmica de spin persistente, juntamente com excitações de baixa energia não convencionais.

In-plane vector-field imaging of propagating surface phonon polaritons

Este artigo apresenta uma técnica de microscopia não linear de campo amplo baseada em geração de frequência soma que permite o mapeamento direto e seletivo por polarização de campos vetoriais no plano de polaritons de fônons de superfície propagantes, superando as limitações dos métodos de campo próximo tradicionais que detectam primariamente componentes fora do plano.

Low-energy model for doped graphene nanoribbons

Este artigo analisa o comportamento de muitos corpos de nanofitas de grafeno dopadas ao mapear modelos de Hubbard estendidos e locais para um modelo de Kanamori, revelando que parâmetros específicos da nanofita podem induzir estados de camada aberta e alto spin, levando a respostas de bloqueio de camada e de spin relevantes para o transporte nanoeletrônico.

Magnetoresistance in chiral systems driven by inter-band spin-orbit coupling

Este estudo teórico demonstra que o acoplamento spin-órbita interbanda, em conjunto com as interações de Coulomb no sítio, é um mecanismo crucial que permite uma polarização de spin significativa superior a 25% na seletividade de spin induzida por quiralidade, abordando, assim, as limitações de modelos anteriores de banda única.

Connection between the GKSL master equation and the Landauer formula

Este artigo deriva uma fórmula de corrente dentro da estrutura da equação mestre de Gorini-Kossakowski-Sudarshan-Lindblad (GKSL) para sistemas não interagentes e estabelece as condições específicas sob as quais este formalismo recupera a fórmula de Landauer.

Investigation on the temperature dependence of substrate-induced in-plane uniaxial magnetic anisotropy in Ni thin films grown on 128{\deg} Y-cut LiNbO3

Este estudo demonstra que o recozimento pós-deposição de filmes finos de Ni em substratos de LiNbO3 com corte 128° Y induz uma anisotropia magnética uniaxial dependente da temperatura, impulsionada pelo acoplamento magnetoelástico proveniente da deformação residual, enquanto os filmes crescidos in situ permanecem isotrópicos com comportamento de histerese não convencional em baixas temperaturas.

Magnon-phonon coupling of synthetic antiferromagnets in a surface acoustic wave cavity resonator

Capturing exchange-correlation spin-torque effects with a semilocal functional

Este artigo apresenta a primeira implementação de um funcional de teoria do funcional da densidade de corrente de spin (SCDFT) invariante por $U(1) \times SU(2)$ dentro do VASP, que captura com sucesso efeitos de torque de spin de troca-correlação em funcionais semilocais ao incorporar a densidade de corrente de spin, alcançando, assim, uma precisão comparável aos métodos de troca exata com convergência computacional eficiente.

\beta-Ga2O3-Based Heterojunctions: Exploring Growth Orientations and Alloying on Electronic Properties

Este estudo utiliza cálculos de primeiros princípios e modelagem TCAD para demonstrar que a orientação de crescimento e a deformação influenciam significativamente as propriedades eletrônicas e o desempenho do diodo Schottky de heteroestruturas de $\beta$-Ga$_2$O$_3$ e (Al$_x$Ga$_{1-x}$)$_2$O$_3$, destacando seu papel crítico na simulação precisa de dispositivos.