Revisiting Theoretical Modeling of Seebeck Coefficient of Semiconductors
Este artigo identifica falhas termodinâmicas em modelos existentes do coeficiente Seebeck e propõe um modelo reversível de baixo custo, teoricamente sólido, baseado na equação de drift-difusão com o efeito Soret, que prevê com precisão dados experimentais para silício altamente dopado com tipo n, oferecendo simultaneamente uma alternativa concisa para a avaliação de propriedades termoelétricas.