Characterization of Nonlinear Dynamics in Semiconductors in Frequency Domain using Modulated Photoexcitation
Este artigo propõe um método de diagnóstico no domínio da frequência utilizando fotoexcitação modulada em fase para caracterizar a dinâmica não linear de portadores e avaliar taxas de recombinação em semicondutores, abordando as ambiguidades frequentemente associadas a respostas resolvidas no tempo não exponenciais.