Delta-Doped Diamond via in-situ Plasma-Distance Control
Este artigo apresenta uma nova abordagem de crescimento de diamante por CVD que utiliza o controle da distância da amostra em relação à base do reator para induzir regimes de crescimento distintos, permitindo a fabricação eficiente de camadas delta dopadas com nitrogênio e defeitos NV para aplicações em sensores quânticos e computação.