Buried Stressor Engineering for Position-Controlled InGaAs Quantum Dots with Local Density Variation for Integrated Quantum Photonics
Os autores relatam o crescimento epitaxial monolítico de pontos quânticos de InGaAs controlados por posição via método de estressor enterrado, demonstrando alta precisão de posicionamento e a capacidade de variar localmente a densidade dos pontos quânticos em uma única etapa de crescimento, o que viabiliza a integração de fontes de fótons únicos e microlasers em chips fotônicos para tecnologia quântica.