Quantitative models for excess carrier diffusion and recombination in STEM-EBIC experiments on semiconductor nanostructures
Este artigo apresenta um modelo quantitativo para descrever o transporte e a recombinação de portadores de carga em nanoestruturas semicondutoras durante medições de corrente induzida por feixe de elétrons em microscopia eletrônica de transmissão, validando sua eficácia na determinação precisa do comprimento de difusão em volume de óxidos complexos como o SrTi0.995Nb0.005O3.