cond-mat.mtrl-sci

Origin of mixed anisotropy in crystalline Permalloy and amorphous Cobalt thin films individually deposited on Si substrate

Este estudo investiga a evolução de anisotropias magnéticas mistas em filmes finos cristalinos de Permalloy e amorfo de Cobalto depositados por rf-sputtering sobre substratos de Si, revelando como as condições de crescimento e a espessura do filme induzem a inclinação da magnetização e definindo regimes distintos de anisotropia para aumentar o desempenho de dispositivos espintrônicos.

Vacancy defects in square-triangle tilings and their implications for quasicrystals formed by square-shoulder particles

Este estudo demonstra que defeitos pontuais estabilizam significativamente os quasicristais de quadrado-triângulo em sistemas de matéria mole ao proporcionar um ganho substancial de entropia por meio de contribuições individuais e de mistura combinatória, explicando, assim, as altas concentrações de defeitos observadas nesses materiais.

How glass breaks -- Damage explains the difference between surface and fracture energies in amorphous silica

Este estudo utiliza simulações multiescala combinando dinâmica molecular e modelagem de campo de fase para demonstrar que a discrepância entre as energias de superfície e de fratura em sílica amorfa decorre primariamente da difusão de danos em uma faixa de 16–23 Å ao redor do caminho da trinca, em vez de deformação plástica.

Multiferroic collinear antiferromagnet with hidden altermagnetic split

Este estudo revela que antiferromagnetos convencionais com um vetor de propagação não nulo exibem quebra de simetria macroscópica e desdobramento de spin altermagnético oculto, demonstrados através de cálculos de primeiros princípios no multiferroico MnS2 para propor novos caminhos para o design de materiais espintrônicos.

Dominant orbital magnetization in the prototypical altermagnet MnTe

Magnetism and nonlinear charge transport in NiFe2O4/γ-Al2O3/SrTiO3 heterostructure: Toward Spintronic Applications

Este estudo demonstra a síntese bem-sucedida de uma heteroestrutura de NiFe2O4/γ-Al2O3/SrTiO3 que preserva o gás de elétrons bidimensional de alta mobilidade na interface enquanto exibe retificação magnetoeletrônica robusta e espalhamento do tipo Kondo, marcando um passo significativo em direção a aplicações espintrônicas de óxido total.

Link Statistics of Dislocation Network during Strain Hardening

Ao analisar simulações de Dinâmica de Dislocações Discretas de Cu fcc, este estudo revela que os comprimentos de ligação das dislocações em sistemas de deslizamento ativos seguem uma distribuição de dupla exponencial devido ao arqueamento induzido por tensão, ao passo que sistemas inativos exibem uma distribuição de exponencial simples, uma distinção explicada ao modelar a rede como um processo de Poisson unidimensional com taxas de crescimento superlineares para ligações longas.

Direct evidence for the absence of coupling between shear strain and superconductivity in Sr2RuO4

Ao aplicar diretamente três tipos de deformação de cisalhamento em monocristais de Sr2RuO4 e observar mudanças negligenciáveis na temperatura de transição supercondutora, este estudo fornece evidências de que a deformação de cisalhamento não se acopla à supercondutividade, apoiando um modelo de parâmetro de ordem de um componente ao mesmo tempo em que destaca sua incapacidade de explicar totalmente outras anomalias experimentais.

Frequency domain laser ultrasound for inertial confinement fusion target wall thickness measurements

Este artigo apresenta um método de ultrassom a laser no domínio da frequência, não destrutivo e sem contato, utilizando ressonâncias de ondas elásticas guiadas de velocidade de grupo zero para medir com precisão a espessura da parede de cápsulas de fusão por confinamento inercial de tamanho milimétrico, com resultados que se alinham excelentemente com as referências de interferometria infravermelha.

Stability Criteria and Optoelectronic Properties of Mg3ZBr3 (Z = As, Sb, Bi) Perovskites for Evaluating the Performance in PIN Photo Diode

Este estudo emprega cálculos de primeiros princípios e simulações de dispositivos para demonstrar que as perovskitas sem chumbo $\mathrm{Mg_3ZBr_3}$ ($Z=\mathrm{As, Sb, Bi}$) possuem a estabilidade dinâmica necessária, propriedades optoeletrônicas ajustáveis e band gaps adequados para servir como candidatas promissoras para aplicações de fotodiodos PIN de filmes finos estáveis.