Electronic band structure and exciton properties of CaSnN
Este estudo calcula a estrutura de bandas eletrônicas e as propriedades de excitons do CaSnN na estrutura , revelando um gap direto de 2,59 eV que o torna um candidato promissor para LEDs azuis sustentáveis livres de Gálio e Índio, além de analisar como a tensão uniaxial pode inverter a divisão do campo cristalino e afetar as polarizações de emissão de luz.