Surface Modification for III-V Selective Area Molecular Beam Epitaxy of Non-Selective Mask Materials
Este estudo demonstra que o depósito de uma camada de cobertura de dióxido de silício inferior a 1 nm permite a epitaxia de feixe molecular de área seletiva de semicondutores III-V sobre materiais de máscara altamente reativos ou não seletivos como e , superando, assim, as limitações ópticas das máscaras tradicionais sem degradar o seu desempenho espectral.